英特尔的 18A 节点不仅关乎良率和密度（这仍然口舌常紧要的成分），还关乎性能。据台湾媒体 3C News 征引 TechInsights 的筹划和计较，节点性能的新提示者是英特尔 18A。在 TechInsights 使用的自界说评分圭臬中，英特尔 18A 的性能得分为 2.53，而台积电 N2 的性能得分为 2.27， SF2 的性能得分为 2.19。
这意味着同为两个纳米级节点中，处于绝顶地位。行为第一个具有后头供电麇集 (BSPDN) 的节点，它将在2025 年末出现时 Panther Lake CPU 中进行测试，并在 2026 年头出货。这种新的电源架构将布局收尾和组件诳骗率提高 5-10%，裁减互连电阻，并将 ISO 电源性能提高高达 4%，这要归功于与传统前端电源布线比较固有电阻的昭着下跌。
与其前身英特尔 3 比较，ag百家乐规律18A 工艺每瓦性能提高了 15%，并在疏导面积内封装了 30% 以上的晶体管。该工艺经受 RibbonFET 蓄意，已插足风险坐褥阶段。英特尔示意：“这终末阶段是对量产进行压力测试，然后在 2025 年下半年齐全大量量坐褥。”
至于SRAM 密度等其他方面，高性能 SRAM 单位从英特尔 3 的 0.03 微米² 松开到英特尔® 18A 的 0.023 微米²，而高密度单位松开到 0.021 微米²，别离反应了 0.77 和 0.88 的缩放统共，结巴了之前 SRAM 缩放已达到褂讪水平的假定。英特尔翻新的“环绕阵列”PowerVia 武艺通过将电源通孔布线到 I/O、收尾妥协码器电路来防守电压降和滋扰问题，从而将位单位区域从正面电源中目田出来。最终齐全了 38.1 Mbit/mm² 的宏位密度，使英特尔粗略与台积电的 N2 相比好意思。整个这些，加上 BSPDN，英特尔正在构建一个宏大的节点。这让外界对过去 18A 工艺充满了期待。
