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金融界2025年4月2日讯息，国度常识产权局信息透露，龙腾半导体股份有限公司苦求一项名为“一种具有双场构陷层的RC-IGBT结构过头制造要道”的专利，公开号CN119743997A，苦求日历为2024年12月。
专利摘记透露，本发明提倡了一种具有双场构陷层的RC‑IGBT结构过头制造要道，旨在管制传统RC‑IGBT导通时存在的电压折回同意及器件耐压裁减的问题。该结构在集电极侧具有p浮置区的基础上，引入了两层场构陷层，即nFS1层和nFS2层。nFS1层可压缩电场，刺眼电场延迟至n+短路区，保险器件耐压；nFS2层则通过编削掺杂浓度调控后头空穴注入率。此外，给与局部氧化物进行拒绝，裁减了工艺难度。本发明的RC‑IGBT结构不仅可在更小的元胞尺寸下扼制电压折回同意还显赫培植了功率芯片性能和可靠性，ag百家乐网址具有更高的耐压才能和更好的动态特色，对鼓舞电力电子本领的发展和应器具有垂危意旨。
天眼查辛勤透露，龙腾半导体股份有限公司，拓荒于2009年，位于西安市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册本钱12926.1111万东谈主民币，实缴本钱12901.2876万东谈主民币。通过天眼查大数据分析，龙腾半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标技俩6次，财产萍踪方面有商标信息1条，专利信息147条，此外企业还领有行政许可6个。
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