近日，兆驰半导体、秋水半导体、烁轩半导体、 先禾新材料、罗化芯自大科技、想坦科技、厦门改日自大等企业以及湖南大学、福州大学、华中科技大学、武汉大学、闽齐创新实践室、中国科学院苏州纳米手艺与纳米仿生商议所等大学和科研机构接踵公布多项Micro LED发明专利。
这些发明专利针对面前Micro LED的痛点提倡有用科罚决策，分别罢了简化发光结构、简化驱动结构、提高可靠性和良品率、科罚刻蚀不净气候、种植芯片的光电性能、种植发光遵循，缩小功耗、提高自大均匀性，减少光串扰气候、提高实足度、罢了高分辨/高色域/高对比度性能、有用保护Micro‑LED芯片等手艺革命。以下是Pjtime.com从国度学问产权局获悉的近1月公布的部分Micro LED专利。
秋水半导体：Micro-LED自大拓荒，提高可靠性和良品率
苏州秋水半导体科技有限公司肯求一项名为“ Micro-LED自大拓荒”的发明专利，肯求公布号为CN119133205A，肯求公布日为2024月12月13日，发明东说念主为王前文。
本肯求公开了Micro‑LED自大拓荒，Micro‑LED自大拓荒包括衬底以及竖立于衬底的主名义上的层系组合，其中沿垂直于主名义的标的不雅察，层系组合永诀为自大区和外围区，自大区包括以预定姿色罗列的多个功能层，并造成多个自大像素，外围区环绕竖立于自大区的外围，并由自大区中的一部分功能层连接造成，其中Micro‑LED自大拓荒还包括防碍环，防碍环嵌设于外围区内，并随自大区中的另一部分功能层同步造成，防碍环环绕竖立于自大区的外围，并与自大区保抓预定隔断。通过上述要领，本肯求过约略提高Micro‑LED自大拓荒的可靠性和良品率。
据悉，苏州秋水半导体科技有限公司建立于2022年11月30日，其领先罢了8英寸Hybrid Bonding Micro-LED工艺通线，罢了原子级平整界面轨则，罢了了>95%面积的好意思满贴合，领先罢了8英寸Hybrid Bonding Micro-LED工艺通线，并完成数字车灯家具的封装工艺买通和驱动点亮。
烁轩半导体： 一种面向Micro-LED自大的驱动要领及芯片，缩小功耗、提高自大均匀性
安徽烁轩半导体有限公司肯求一项名为“一种面向Micro-LED自大的驱动要领及芯片”的发明专利，肯求公布号为CN119107901A，肯求公布日为2024月12月10日，发明东说念主为赵茂、张若平、刘振阳。
本肯求公开了一种面向Micro‑LED自大的驱动要领及芯片，属于波及LED自大手艺界限，包括：获得待自大图像的像素点总额；把柄像素点总额，将待自大图像永诀为多个子区域，每个子区域包含由多个驱动单位构成的像素阵列；将每个像素点的灰度数据通过预设合同传输至对应子区域的驱动单位；驱动单位选用行信号、灰度数据、基准电流以实时钟信号手脚输入信号；当选用到行信号时，驱动单位将灰度数据转念为PWM信号，PWM信号的占空比由灰度数据决定；把柄PWM信号轨则基准电流的输出时辰，从而生成与灰度数据对应的驱动电流，驱动像素点发光。针对现存手艺中Micro‑LED自大驱动芯片功耗大，本肯求在缩小功耗的同期提高了自大均匀性。
安徽烁轩半导体有限公司建立于 2023年9月，是一家行业手艺跨越的集成电路策画企业，全资收购并基于南京浣轩开展光电芯片驱动(轨则)业务。主营家具为微自大驱动、微背光驱动、微投影驱动及应用科罚决策，家具主要应用在超高清自大、车载自大、车载微投影(前后大灯)等界限。也曾连气儿5年为央视春晚提供优质LED驱动芯片家具与轮廓科罚决策。本年4月，烁轩超高清自大及车规级芯片形貌开工。
兆驰半导体：低电压Micro-LED外延片偏执制备要领，种植发光遵循
江西兆驰半导体有限公司肯求一项名为“ 低电压Micro-LED外延片偏执制备要领”的发明专利，肯求公布号为CN119069598A，肯求公布日为2024月11月22日，发明东说念主为胡加辉、郑文杰、高虹、刘春杨、金从龙。
本发明公开了一种低电压Micro‑LED外延片偏执制备要领、Micro‑LED，波及半导体光电器件界限。低电压Micro‑LED外延片循序包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、大量子阱层、电子对抗层、P型GaN层和P型战役层；其中，所述P型战役层包括循序层叠于所述P型GaN层上的多孔AlInN层、二维P型BGaN层、AlN粗化层、P型BInGaN纳米团簇层和P型AlInGaN粗化层；其中，所述多孔AlInN层通过H2刻蚀AlInN层制得，所述P型AlInGaN粗化层通过N2粗化P型AlInGaN层制得。推论本发明，可缩小使命电压，且种植光索要遵循，进而种植发光遵循。
兆驰半导体：高光效Micro-LED外延片偏执制备要领：种植发光遵循
江西兆驰半导体有限公司肯求一项名为“高光效Micro-LED外延片偏执制备要领”的发明专利，肯求公布号为CN119050225A，肯求公布日为2024月11月29日，发明东说念主为胡加辉、郑文杰、高虹、刘春杨、金从龙。
本发明公开了一种高光效Micro‑LED外延片偏执制备要领、Micro‑LED，波及半导体光电器件界限。Micro‑LED外延片循序包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、大量子阱层、空穴扩张层、空穴存储层和空穴层；空穴扩张层为周期性结构，每个周期均包括循序层叠的BN层和Mg轻掺GaN层；空穴存储层为周期性结构，每个周期均包括循序层叠的GaN层、InGaN层和Mg掺AlGaN层；空穴层为周期性结构，每个周期均包括循序层叠的P型BInGaN层、Mg3N2层和P型GaN层；P型GaN层的掺杂浓度≥1×1019cm‑3。推论本发明，可种植发光遵循。
兆驰半导体：一种Micro-LED芯片偏执制备要领：种植良率
江西兆驰半导体有限公司肯求一项名为“一种Micro-LED芯片偏执制备要领”的发明专利，肯求公布号为CN119008795A，肯求公布日为2024月11月8日，发明东说念主为汪恒青、张星星、胡加辉、金从龙。
本发明公开了一种Micro‑LED芯片偏执制备要领，该要领包括：提供一外延片；在P型半导体层上制作透明导电层；将制作透明导电层后的外延片放弃于退火拓荒中进行退火处理；对P型半导体层与大量子阱层进行刻蚀，暴判辨N型半导体层的名义以造成MESA台面；在MESA台面与透明导电层上分别制作N型电极层与P型电极层；在N型电极层与P型电极层上制作保护层；对保护层、N型电极层与P型电极层进行研磨抛光，使外延片的厚度自一开动厚度转变至一方针厚度；在保护层上制作与N型电极层相连的N型焊盘层，以及与P型电极层相连的P型焊盘层。本发明旨在科罚现存手艺中Micro‑LED芯片基本只可依靠金属键合，而焊盘名义的不服整会导致键合时良率不高的手艺问题。
兆驰半导体：一种蓝光Micro-LED的外延片偏执制备要领
12月10日，该专利干预授权阶段。
本发明波及半导体材料手艺界限，公开了一种蓝光Micro-LED的外延片偏执制备要领，外延片中大量子阱发光层包括循序层叠孕育的第一浅蓝光大量子阱层，第二浅蓝光大量子阱层，第三蓝光大量子阱层和第四浅蓝光大量子阱层；第一浅蓝光大量子阱层为循序周期性轮流孕育的第一InGaN大量子阱层与第一大量子阱复合垒层的超晶格结构；第二浅蓝光大量子阱层为循序周期性轮流孕育的第二InGaN大量子阱层与第二大量子阱复合垒层的超晶格结构；第三蓝光大量子阱层为循序周期性轮流孕育的第三InGaN大量子阱层与Si掺GaN大量子垒层的超晶格结构；第四浅蓝光大量子阱层为循序周期性轮流孕育的第四InGaN大量子阱层与的超晶格结构。
推论本发明，可提高Micro-LED在低使命电流密度下的光效、良率。
兆驰半导体：一种蓝光Micro-LED的外延结构偏执制备要领，提高光效、良率
12月10日，该专利干预授权阶段。
本发明波及半导体材料的手艺界限，公开了一种蓝光Micro-LED的外延结构偏执制备要领，外延结构包括衬底，在所述衬底上循序层叠的缓冲层，N型半导体层，低温应力开释层，大量子阱发光层，电子对抗层和P型半导体层，所述大量子阱发光层包括由下至上循序层叠孕育的第一浅蓝光大量子阱子层，第二浅蓝光大量子阱子层，第三蓝光大量子阱子层和第四浅蓝光大量子阱子层，其中每层子层均为InGaN大量子阱层与大量子垒层的超晶格结构。
推论本发明，可缩小孕育InGaN量子阱时的应力，显耀改善大量子阱发光层的质地，同期提高P型半导体层的空穴注入遵循，从而提高Micro-LED芯片在低使命电流密度下的光效、良率等性能，适用于小尺寸、低电流以及低功率的蓝光Micro-LED。
兆驰半导体：一种Micro-LED的外延结构偏执制备要领，种植发光亮度
12月3日，该专利干预授权阶段。
本发明波及半导体材料的手艺界限，公开了一种Micro-LED的外延结构偏执制备要领，所述外延结构包括衬底，在所述衬底上循序层叠的缓冲层，未掺杂的GaN层，N型掺杂GaN层，插入层，大量子阱层，电子对抗层，P型掺杂GaN层和战役层；其中，所述插入层包括于所述N型掺杂GaN层上循序竖立的AlN层、图形化的GaSb层、Al金属层和InGaN层。
在N型掺杂GaN层和大量子阱层之间竖立插入层，不错缩小孕育大量子阱层时的应力，并缩小大量子阱层的位错密度，提无际批子阱层的晶体质地，从而提高Micro-LED的内量子遵循，缩小使命电压，种植发光亮度。
先禾新材料：Micro-Led粘贴用导电银胶偏执制备要领与应用要领，使Micro‑Led芯片被100%点亮
先禾新材料（苏州）有限公司肯求一项名为“Micro-Led粘贴用导电银胶偏执制备要领与应用要领”的发明专利，肯求公布号为CN118995105A，肯求公布日为2024月11月22日，发明东说念主为陈实、杨龙、涂照康、黄勇、熊勇。
本发明公开了Micro‑Led粘贴用导电银胶偏执制备要领与应用要领，其中制备要领包括：武艺S1：按质地份计配备材料；武艺S2：将银盐、醇胺和醇酯溶剂避光条目下用行星式散布拓荒散布得到均一液态银胺络合液，避光冷冻存储备用；武艺S3：将所述液态环氧树脂、酸酐固化剂以及银络合液在避日光条目下用行星式散布拓荒散布得到粘度为1000cps‑5000cps导电银胶。本决策可适用于口径为3μm的EHD喷嘴，同期也能确保选用基材与Micro‑LED芯片的介面粘附大于芯片与底衬之间的作使劲，ag真人百家乐怎么赢并在导电银胶固化后造成导电通路罢了Micro‑Led芯片与金属基板之间导电战役，使Micro‑Led芯片被100%点亮。
先禾新材料（苏州）有限公司建立于2022年02月17日，注册老本1,000万(元)，是一家专科电子材料提供商，提供高性能的导热、留神、导电、粘接等多系列的家具，泛泛应用于通讯、汽车、破费电子、家用电器、工控、照明、半导体及电子元器件等界限。
罗化芯：一种AR/VR全彩Micro-LED自大安装偏执制备要领，有用保护Micro‑LED芯片
罗化芯自大科技开发（江苏）有限公司肯求一项名为“一种AR/VR全彩Micro-LED自大安装偏执制备要领”的发明专利，肯求公布号为CN118969937A，肯求公布日为2024月11月15日，发明东说念主为李雍、陈文娟、王春桃。
本发明波及一种AR/VR全彩Micro‑LED自大安装偏执制备要领，波及半导体自大手艺界限。在本肯求的AR/VR全彩Micro‑LED自大安装的制备要领中，通过竖立层叠竖立的第一保护层、第二保护层以收用三保护层，且第二保护层的密度大于第一保护层的密度，且所述第二保护层中附进所述第一保护层的一侧的密度小于所述第二保护层的另一侧的密度，且两侧密度差为0.6‑1.5g/cm3；所述第三保护层的密度大于所述第二保护层的所述另一侧的密度，通过竖立密度迟缓变化的第二保护层，进而使得第二保护层的邃密性迟缓提高，有用保护第一保护层的同期，使得第二保护层的外名义的刚性加多，且第三保护层的刚性更大，进而在后续转化工序以及使用过程中，有用保护Micro‑LED芯片。
想坦科技：Micro-LED发光结构偏执制作要领和电子拓荒，简化了发光结构的加工经由
深圳市想坦科技有限公司肯求一项名为“ Micro-LED发光结构偏执制作要领和电子拓荒”的发明专利，肯求公布号为CN118919614A，肯求公布日为2024月11月8日，发明东说念主为吴涛、张珂。
本肯求提供了一种Micro‑LED发光结构的制作要领、Micro‑LED发光结构和电子拓荒。该制作要领包括：在衬底上孕育缓冲层和外延层，在外延层上造成掩模钝化层，干法刻蚀掩模钝化层造成多个像素空间和多个像素防碍部，在刻蚀后的掩模钝化层上逐层造成量子阱发光层、电子轨则层和电流扩散层，应用湿法工艺刻蚀像素防碍部直至清楚外延层，得到在像素空间中造成的侧壁完整的台阶像素结构。本肯求的要领制作的Micro‑LED发光结构的侧壁完整，光电遵循种植，该要领还简化了发光结构的加工经由。
厦门改日自大：一种具有叠层的Micro-LED芯片偏执制作要领，科罚刻蚀不净气候
乾照光电控股子公司厦门改日自大手艺商议院有限公司肯求一项名为“ 一种具有叠层的Micro-LED芯片偏执制作要领”的发明专利，肯求公布号为CN118919622A，肯求公布日为2024月11月8日，发明东说念主为段其涛、王乐、冯妍雪、江晟权、柯志杰。
本发明提供了一种具有叠层的Micro‑LED芯片偏执制作要领，运用呈道路状的叠层手艺，使通盘的P型半导体层在相应的道路面各自具有电极接入区域，可在罢了第一发光结构、第二发光结构以收用三发光结构的平安驱动的基础上，可最大轨则地纵情晶圆面积罢了全彩化，缩小坐褥成本；同期伙同所述第一发光结构的P型半导体层和所述第二发光结构的P型半导体层通过绝缘键合层进行键合的竖立，如斯可幸免团员物粘合剂在键合所述第一发光结构和第二发光结构过程中所出现的因键合厚度不均匀而导致的刻蚀不净气候。
厦门改日自大手艺商议院有限公司建立于2020年04月15日，注册老本1055 万元东说念主民币，其中厦门乾照光电股份有限公司认缴出资额 1000 万元，苏州亚禾亚韩光电产业投资搭伙企业（有限搭伙）认缴出资额 21.1 万元，柯志杰认缴出资额 33.9 万元。三者分别抓股94.78673%、2%和3.21327%。
湖南大学：防光串扰的堆叠结构Micro-LED自大模块偏执制备要领，减少光串扰气候、提高实足度
湖南大学肯求一项名为“ 防光串扰的堆叠结构Micro-LED自大模块偏执制备要领”的发明专利，肯求公布号为CN119133208A，肯求公布日为2024月12月13日，发明东说念主为陈舒拉、廖小琴、易潇、潘安练。
本肯求公开了防光串扰的堆叠结构Micro‑LED自大模块偏执制备要领；波及光学半导体界限，该自大模块包括多个阵列竖立的像素点单位，像素点单位包括堆叠竖立的基板层和钝化层，基板层和钝化层之间设有多个发光区块，多个发光区块堆叠竖立；每个发光区块上均设有N电极，多个N电极之间相互不连通，多个发光区块共同相连有P电极；N电极与P电极之间通过钝化层防碍；该要领是通过逐层堆叠并图案化制备的该自大模块；本肯求将多个发光区块的电极分隔竖立，正反向电压或电流的轨则下，使短波长LED对长波长LED光致发光效应产生的光生载流子反向搬动，不在发光层复合发光，罢了不同波长十足依靠电轨则发光，在外加偏压调控的情况下，减少多色堆叠Micro‑LED芯片中光串扰的气候，提高Micro‑LED自大的实足度。
福州大学：一种基于电感储能的共用数据引线彩色Micro-LED器件驱动结构，简化驱动结构
福州大学肯求一项名为“ 一种基于电感储能的共用数据引线彩色Micro-LED器件驱动结构”的发明专利，肯求公布号为CN119107899A，肯求公布日为2024月12月10日，发明东说念主为林珊玲、苗华康、林坚普、林志贤、吕珊红、郭太良。
本发明公开了一种基于电感储能的共用数据引线彩色Micro‑LED器件驱动结构，包括：原色像素电路、行扫描引线、列数据引线、P型沟说念薄膜晶体管开关以及N型沟说念薄膜晶体管开关；原色像素电路包括两个相互并联且电极相背的原色微发光二极管，两个原色微发光二极管各自串联一个储能电感，原色像素电路与P型沟说念薄膜晶体管的漏极相相连，原色像素电路的相对侧分别接地和相连N型沟说念薄膜晶体管开关的漏极；P型沟说念薄膜晶体管开关的栅极与行扫描引线相相连，P型沟说念薄膜晶体管开关的源极与列数据引线相相连；N型沟说念薄膜晶体管开关的源极和栅极均相连至行扫描引线。本发明在保证发光成像质地的同期，简化驱动结构。
华中科技大学：一种光子晶体增强出光的深紫外micro-LED芯片偏执制备要领，提崇高紫外芯片的外量子遵循
华中科技大学肯求一项名为“一种光子晶体增强出光的深紫外micro-LED芯片偏执制备要领”的发明专利，肯求公布号为CN119069586A，肯求公布日为2024月12月3日，发明东说念主为魏御繁、陈桢宇、戴江南。
本发明波及光子晶体增强出光的深紫外micro‑LED芯片偏执制备要领，属于发光电子手艺界限。本发明在MESA台面周围表露的n‑AlGaN外延层运用纳米球刻蚀手艺制备出周期性光子晶体结构，从而罢了深紫外micro‑LED光索要的提高。本发明提倡通过在表露的n‑AlGaN层引入周期与有源层放射波长十分的光子晶体结构，通过光栅衍射效应加多了光的散射旅途，提高了深紫外micro‑LED的光索要遵循；同期取舍对紫外光具有较高反射率的Al基金属膜手脚N电极相连金属，不仅不错相连不同台面周围的N电极以造成完整回路，又可反射紫外光至衬底一侧，进一步提高了芯片的光索要遵循，最终提高了通盘这个词深紫外芯片的外量子遵循。
武汉大学：一种基于空腔图形化衬底的Micro-LED芯片制备要领，种植芯片的光电性能
武汉大学肯求一项名为“ 一种基于空腔图形化衬底的Micro-LED芯片制备要领”的发明专利，肯求公布号为CN119050209A，肯求公布日为2024月12月13日，发明东说念主为周圣军、廖喆夫、蒋晶晶。
本发明公开了一种基于空腔图形化衬底的Micro‑LED芯片制备要领，包括：1)提供外延片，所述包括衬底和外延层，所述外延层包括AlN缓冲层、n‑GaN层、有源区层、p‑AlGaN电子对抗层和p‑GaN层；2)在所述p‑GaN层名义千里积一层SiO2保护层；3)运用纳秒脉冲激光对所述外延层进行扫描刻蚀，造成沟槽；4)运用热化学腐蚀对所述沟槽进行腐蚀，在所述衬底与所述AlN缓冲层界面围聚所述沟槽区域造成空腔微结构；5)去除武艺2)中所述SiO2保护层，引入ITO层，并对所述ITO层进行刻蚀以造成图形化ITO层；6)在所述图形化ITO层上千里积一层SiO2钝化层，在所述SiO2钝化层蒸镀p电极和n电极，造成所述Micro‑LED芯片。该要领制备的Micro‑LED芯片的正面光输出功率，种植了芯片的光电性能。
闽齐创新实践室：一种全彩多功能Micro-LED自大安装及制备要领、光源器件，罢了高分辨、高色域、高对比度、粗笨耗
闽齐创新实践室肯求一项名为“ 一种全彩多功能Micro-LED自大安装及制备要领、光源器件”的发明专利，肯求公布号为CN119050242A，肯求公布日为2024月11月29日，发明东说念主为关天用、李阳。
本发明公开了一种全彩多功能Micro‑LED自大安装及制备要领、光源器件，该安装通过喷墨打印手艺集成了红、绿、近红外量子点像素阵列，不仅罢了了高分辨、高色域、高对比度、粗笨耗的自大成果，并且还具备了面部识别和多参数生理监测的附加功能。所述的安装以蓝光Micro‑LED芯片手脚激勉光源，通过喷墨打印姿色在芯片上造成红、绿、近红外像素阵列，罢了全彩自大的同期，运用近红外量子点较高的组织穿透才智，安装不错进行面部特征的非战役式识别和多种生理参数的检测。该安装在智能自大、安全监控和健康监测等界限具有泛泛应用出息。
中科院纳米商议所：Micro-LED芯片偏执制备要领与应用，提高芯片的坐褥遵循和良品率
中国科学院苏州纳米手艺与纳米仿生商议所肯求一项名为“ Micro-LED芯片偏执制备要领与应用”的发明专利，肯求公布号为CN119008821A，肯求公布日为2024月11月21日，发明东说念主为张晓东、查强、夏先海、曾中明、张宝顺。
本发明公开了一种Micro‑LED芯片偏执制备要领与应用。该Micro‑LED芯片包括LED芯片结构和第一超名义导电结构层，该第一超名义导电结构层包括：电性伙同于LED芯片结构的出光面上的第一导电层；以及，与第一导电层层叠竖立和/或一体竖立的超名义结构；该超名义结构至少用于对从该出光面射出的光的出射角度或波长进行调控。基于本发明的手艺决策，不错罢了Micro‑LED芯片的全彩化，加多出光率和准直性百家乐ag，并不错取舍大界限轨范半导体工艺制程罢了Micro‑LED芯片的制备和Micro‑LED像素与自大单位的一体化，提高Micro‑LED芯片的坐褥遵循和良品率、缩小成本。